光耦合器的制造方法_专利查询-品牌网

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专利状态

光耦合器的制造方法

有效

专利申请进度

申请

2006-06-16

申请公布

2007-12-19

授权

1970-01-01

预估到期

2026-06-16

专利基础信息

申请号	CN200610091347.7	申请日	2006-06-16
申请公布号	CN101089665A	申请公布日	2007-12-19
授权公布号	CN100520462C	授权公告日	1970-01-01
分类号	G02B6/24
分类	光学;
申请人名称	亿光电子（中国）有限公司
申请人地址	江苏省苏州市吴江经济技术开发区中山北路2135号

专利法律状态

2018-02-13

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):G02B6/24；专利号:ZL2006100913477；登记生效日:20180125；变更事项:专利权人；变更前权利人:亿光电子工业股份有限公司；变更后权利人:亿光电子(中国)有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:中国台湾台北县土城市中央路三段76巷25号；变更后权利人:江苏省苏州市吴江经济技术开发区中山北路2135号
2009-07-29

发明专利权授予

状态信息

授权
2008-02-13

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2007-12-19

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开一种光耦合器的制造方法。首先，将具有接收导线架阵列和发射导线架阵列的导线架料材上的接收导线架阵列切下。将接收导线架阵列翻转后，放置于导线架料材上，使接收导线架阵列上的多个受光组件对准导线架料材上发射导线架阵列的多个发光组件。最后，接合接收导线架阵列和导线架料材。

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