一种应用于晶体硅湿法刻蚀可控边的刻蚀方法

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专利状态

一种应用于晶体硅湿法刻蚀可控边的刻蚀方法

有效

专利申请进度

申请

2015-03-24

申请公布

2015-06-24

授权

2017-06-09

预估到期

2035-03-24

专利基础信息

申请号	CN201510131631.1	申请日	2015-03-24
申请公布号	CN104733565A	申请公布日	2015-06-24
授权公布号	CN104733565B	授权公告日	2017-06-09
分类号	H01L31/18;H01L21/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	中建材浚鑫科技有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号

专利法律状态

2019-08-16

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):H01L31/18；变更事项:专利权人；变更前:中建材浚鑫科技股份有限公司；变更后:中建材浚鑫科技有限公司；变更事项:地址；变更前:214400 江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号；变更后:214400 江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号
2017-06-09

授权

状态信息

授权
2016-01-20

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L31/18；申请日:20150324
2015-06-24

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种应用于晶体硅湿法刻蚀可控边的刻蚀方法，包括：将硅片的四周印刷石蜡栅线，形成遮挡物；在刻蚀槽中配入氟化氢、硝酸以及浓硫酸，浓硫酸；刻蚀硅片的PN结；使用去离子水对刻蚀槽中携带的酸进行稀释；在碱洗槽中配入碱洗液对石蜡栅线进行清洗；再使用去离子水进行碱洗；在酸槽中配入的氟化氢，用于中和碱，去除硅片表面的二氧化硅层，使得硅片表面处于托干状态；通过两组上下热风刀吹出的干净气体来吹干硅片；烘干质检。在刻蚀槽前增加遮挡物来阻挡腐蚀液体越过硅片表面，精确的控制了刻蚀边宽，减小了湿法刻蚀时对排风的要求及设备对刻边的要求；在提高电压的情况下提高效率，有利于电池输出功率的提高，减少电池本身的损耗。

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