一种硅基异质结太阳电池结构

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专利状态

一种硅基异质结太阳电池结构

有效

专利申请进度

申请

2020-04-09

授权

2020-10-02

预估到期

2030-04-09

专利基础信息

申请号	CN202020514076.7	申请日	2020-04-09
授权公布号	CN211629120U	授权公告日	2020-10-02
分类号	H01L31/0216;H01L31/072
分类	基本电气元件;
申请人名称	中建材浚鑫科技有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号

专利法律状态

2020-10-02

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及一种硅基异质结太阳电池结构，包括自一侧面至另一侧面的分层结构；分层结构包括上电极、TCO透明导电薄膜、P型非晶硅层、本征非晶硅层、N型单晶硅片、本征非晶硅层、N型非晶硅层、TCO透明导电薄膜和下电极；在上电极和TCO透明导电薄膜、TCO透明导电薄膜和下电极之间加入一层或多层氮化物薄膜；氮化物薄膜沉积在TCO透明导电薄膜的上表面和下表面。本实用新型有效降低了TCO薄膜厚度，降低了TCO在制备过程中对表面衬底非晶硅薄膜的损伤，同时解决了原有HJT太阳电池结构中单一TCO透明导电薄膜存在寄生吸收和有效阻挡可动游离离子的矛盾。

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