一种适用于多主栅搭配大尺寸硅片的扩散工艺

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专利状态

一种适用于多主栅搭配大尺寸硅片的扩散工艺

有效

专利申请进度

申请

2020-11-30

申请公布

2021-03-30

授权

2022-09-23

预估到期

2040-11-30

专利基础信息

申请号	CN202011370206.5	申请日	2020-11-30
申请公布号	CN112582499A	申请公布日	2021-03-30
授权公布号	CN112582499B	授权公告日	2022-09-23
分类号	H01L31/18;H01L21/223
分类	基本电气元件;
申请人名称	中建材浚鑫科技有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号

专利法律状态

2022-09-23

授权

状态信息

授权
2021-03-30

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种适用于多主栅搭配大尺寸硅片的扩散工艺，包括以下步骤：S10沉积；S20恒温推进；S30沉积；S40恒温推进；S50沉积；S60恒温推进；所述步骤S10、步骤S30和步骤S50的沉积温度为750～880℃，步骤S10的沉积温度和步骤S50的沉积温度均小于步骤S30的沉积温度。该适用于多主栅搭配大尺寸硅片的扩散工艺采用多步通源、递进推进方式改善大尺寸硅片扩散方阻均匀性；三次沉积的温度先升后降，保证扩散效率的同时更有利于控制扩散速率、扩散结深和方阻均匀性，并且方便取舟卸片，在后续的生产过程提高晶体硅太阳能电池片的光电转换效率，满足生产和使用要求。

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