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专利状态
一种磁控溅射镀膜缓冲装置
有效
专利申请进度
申请
2014-12-22
授权
2015-05-13
预估到期
2024-12-22
专利基础信息
申请号
CN201420824985.5
申请日
2014-12-22
授权公布号
CN204325485U
授权公告日
2015-05-13
分类号
C23C14/35
分类
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称
深圳市拓日新能源科技股份有限公司
申请人地址
陕西省渭南市开发区新盛路阳光大厦五楼
专利法律状态
2015-05-13
授权
状态信息
授权
摘要
为解决上述现有技术缺陷,本实用新型的目的在于提供一种磁控溅射镀膜缓冲装置,本装置设置有第一传动室和第二传动室,用第一传动室进行本室压力处理,第二传动室用于氮化硅移动至下一阶段。一种磁控溅射镀膜缓冲装置,包括,箱体,设置在箱体上的门子和门齿条撑,其特征在于,在所述箱体上设置有第一传动室和第二传动室,在第一传动室和第二传动室水平方向两侧分别设置有传动密封轴,在箱体两侧还设置有压力泵阀和放气阀,所述压力泵阀和放气阀分别设置于第一传动室和第二传动室之间。
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