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专利状态
一种用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备
有效
专利申请进度
申请
2014-12-22
授权
2015-05-13
预估到期
2024-12-22
专利基础信息
申请号 CN201420827281.3 申请日 2014-12-22
授权公布号 CN204325486U 授权公告日 2015-05-13
分类号 C23C14/35;C23C14/06
分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称 深圳市拓日新能源科技股份有限公司
申请人地址 陕西省渭南市开发区新盛路阳光大厦五楼
专利法律状态
  • 2015-05-13
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本实用新型涉及太阳能领域,尤其涉及用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备。本实用新型采取如下技术方案:用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备,包含工字钢腿子,所述工字钢腿子设置有横穿设备的传动导轨,传动导轨一侧连接外传动台,外传动台连接设置于传动导轨上前三级缓冲室和后三级缓冲室,在前三级缓冲室和后三级缓冲室之间设置有用于磁控溅射镀膜的镀膜室;采用如上技术方案的本实用新型,具有如下有益效果:氮化硅镀膜效果好,节省加热能源,可以精确实现限位,使得整个装置运行稳定。