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专利状态

一种双面晶硅太阳能电池

有效

专利申请进度

申请

2018-12-26

授权

2019-11-01

预估到期

2028-12-26

专利基础信息

申请号	CN201822207091.2	申请日	2018-12-26
授权公布号	CN209571422U	授权公告日	2019-11-01
分类号	H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/047;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟沙家浜常昆工业园腾晖路1号

专利法律状态

2019-11-01

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种双面晶硅太阳能电池，所述双面晶硅太阳能电池由第一迎光面至第二迎光面依次包括第一电极、P型半导体层、N型基体、介质层及第二电极；所述介质层为带高固定负电荷的介质层；所述介质层在所述N型基体与所述介质层接触的表面感应形成P型反型层；所述介质层具有与所述第二电极相配合的图案，使所述第二电极可直接与所述N型基体接触。本实用新型提供的双面晶硅太阳能电池，会在N型基体的第二迎光面表面附近形成浮动结，抑制了第二迎光面的表面复合，增大了双面晶硅太阳能电池的光电转换效率，同时，上述介质层可由简单的沉积工艺设置，相较于现有技术，成本低廉，工艺简单。

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