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专利状态

一种晶硅太阳能电池

有效

专利申请进度

申请

2018-12-26

授权

2019-11-08

预估到期

2028-12-26

专利基础信息

申请号	CN201822206818.5	申请日	2018-12-26
授权公布号	CN209607748U	授权公告日	2019-11-08
分类号	H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0352
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟沙家浜常昆工业园腾晖路1号

专利法律状态

2019-11-08

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种晶硅太阳能电池，包括P型基体；所述P型基体的迎光面向外依次包括N型半导体层及正面电极；所述P型基体的背光面向外依次包括介质层及背面电极；所述介质层为带高固定正电荷的介质层；所述介质层在所述P型基体与所述介质层接触的表面感应形成N型反型层；所述介质层具有与所述背面电极相配合的图案，使所述背面电极可直接与所述P型基体接触。本实用新型提供的晶硅太阳能电池，在P型基体的背光面表面附近形成浮动结，抑制了背光面的表面复合，增大了晶硅太阳能电池的光电转换效率，同时，上述介质层可由简单的沉积工艺设置，相较于现有技术中的氧化铝，成本低廉，工艺简单。

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