正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法

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专利状态

正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-09-24

申请公布

2020-02-21

授权

2021-09-14

预估到期

2039-09-24

专利基础信息

申请号	CN201910904174.3	申请日	2019-09-24
申请公布号	CN110828583A	申请公布日	2020-02-21
授权公布号	CN110828583B	授权公告日	2021-09-14
分类号	H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/04;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园

专利法律状态

2021-09-14

授权

状态信息

授权
2020-03-17

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L31/0216；申请日:20190924
2020-02-21

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N⁺型多晶硅层，正面电极透过正面钝化层并形成在N⁺型多晶硅层的上表面上和N⁺型多晶硅层形成欧姆接触。本发明在减小非金属接触区域复合速率的同时，进一步减小金属接触区域的复合速率。

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