一种P型全接触钝化太阳能电池的制备方法

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专利状态

一种P型全接触钝化太阳能电池的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-08-09

申请公布

2019-12-13

授权

2022-09-27

预估到期

2039-08-09

专利基础信息

申请号	CN201910733946.1	申请日	2019-08-09
申请公布号	CN110571149A	申请公布日	2019-12-13
授权公布号	CN110571149B	授权公告日	2022-09-27
分类号	H01L21/311;H01L21/306;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园

专利法律状态

2022-09-27

授权

状态信息

授权
2019-12-13

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种P型全接触钝化太阳能电池的制备方法，其能够消除背面氧化物薄层和多晶硅或非晶硅薄层的正面绕镀现象。所述制备方法依次包括如下步骤：A、对P型硅片进行制绒，且对制绒后硅片的背面进行刻蚀抛光；B、在硅片背面制备氧化物薄层，在氧化物薄层上制备多晶硅或非晶硅薄层；C、对多晶硅或非晶硅薄层进行硼掺杂；D、硅片以背面向上的方式经过刻蚀液，去除硼硅玻璃和硅片正面氧化物薄层及多晶硅或非晶硅薄层绕镀；E、在硅片背面的掺杂多晶硅薄层上制备氮化硅层；F、硅片正面酸洗后再次制绒，并进行磷掺杂；G、酸洗去除磷硅玻璃后，进行硅片正面热氧化；H、硅片正面镀氮化硅层；I、制作电极。

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