一种清洗废弃硅材料小方片的方法

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专利状态

一种清洗废弃硅材料小方片的方法

有效

专利申请进度

申请

2010-11-24

申请公布

2011-08-17

授权

2013-03-06

预估到期

2030-11-24

专利基础信息

申请号	CN201010559210.6	申请日	2010-11-24
申请公布号	CN102151668A	申请公布日	2011-08-17
授权公布号	CN102151668B	授权公告日	2013-03-06
分类号	B08B3/08
分类	清洁;
申请人名称	浙江芯能光伏科技股份有限公司
申请人地址	浙江省海宁皮革工业园区皮都路9号

专利法律状态

2013-04-24

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):B08B3/08；变更事项:专利权人；变更前:浙江芯能光伏科技有限公司；变更后:浙江芯能光伏科技股份有限公司；变更事项:地址；变更前:314400 浙江省海宁皮革工业园区皮都路9号；变更后:314400 浙江省海宁皮革工业园区皮都路9号
2013-03-06

授权

状态信息

授权
2011-09-28

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):B08B 3/08申请日:20101124
2011-08-17

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种清洗废弃硅材料小方片的方法，包括以下步骤：a)将废弃硅材料小方片浸泡在王水中40h～50h；b)浸泡结束后，用水将小方片冲洗干净；c)使用氢氧化钠溶液对冲洗干净的小方片进行碱洗；d)将碱洗后的小方片用水洗净；e)将洗净的小方片放入稀酸中浸泡，中和碱残留；f)取出小方片，用高纯水清洗，至小方片表面pH为7；g)将小方片脱水烘干。本发明提供的清洗方法能够有效地清洗小方片表面的薄膜和杂质，小方片的损耗率在5％以内，提高了小方片的质量，使作为半导体报废材料的小方片变废为宝能够运用到光伏行业，降低了硅材料供应对下游企业的压力。

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