一种改进的硅锭铸造用真空炉

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专利状态

一种改进的硅锭铸造用真空炉

有效

专利申请进度

申请

2016-07-20

授权

2017-02-08

预估到期

2026-07-20

专利基础信息

申请号	CN201620781483.8	申请日	2016-07-20
授权公布号	CN205934119U	授权公告日	2017-02-08
分类号	C30B28/06;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	浙江芯能光伏科技股份有限公司
申请人地址	浙江省嘉兴市海宁市皮都路9号

专利法律状态

2017-02-08

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种改进的硅锭铸造用真空炉。本改进的硅锭铸造用真空炉，包括底座，底座上承托有炉体，炉体内由下至上依次安装有支撑柱、定向助凝块和坩埚组件，定向助凝块与坩埚组件外周罩有隔热笼，隔热笼顶部封闭，底部敞口，隔热笼的顶部设置提升机构，提升机构穿出炉体并固定于炉体顶部上，隔热笼的外周罩有制冷筒，制冷筒顶部敞口，底部封闭，制冷筒的筒壁由多个具有不同制冷功率的筒段沿竖向拼合形成，制冷筒的底部设置升降机构，升降机构穿出炉体底部并固装在底座上。本改进的硅锭铸造用真空炉可控、可调节的由下至上、由外至内的综合性冷却凝固，以使液态多晶硅实现均匀长晶的加工效果，同时加快成核速度。

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