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专利状态
镍钴锰前驱体、镍钴锰三元材料的制备方法及锂离子电池
有效
专利申请进度
申请
2018-12-06
申请公布
2019-04-12
授权
2020-08-28
预估到期
2038-12-06
专利基础信息
申请号 CN201811489821.0 申请日 2018-12-06
申请公布号 CN109616664A 申请公布日 2019-04-12
授权公布号 CN109616664B 授权公告日 2020-08-28
分类号 H01M4/505
分类 基本电气元件;
申请人名称 欣旺达电子股份有限公司
申请人地址 广东省深圳市光明新区公明街道塘家南十八号路欣旺达工业园A栋1-2楼
专利法律状态
  • 2023-09-26
    专利权人的姓名或者名称、地址的变更
    状态信息
    专利权人的姓名或者名称、地址的变更;IPC(主分类):H01M4/505;专利号:ZL2018114898210;变更事项:专利权人;变更前:欣旺达电动汽车电池有限公司;变更后:欣旺达动力科技股份有限公司;变更事项:地址;变更前:518000 广东省深圳市光明新区公明街道塘家南十八号路欣旺达工业园A栋1-2楼;变更后:518000 广东省深圳市光明新区公明街道塘家南十八号路欣旺达工业园A栋1-2楼
  • 2023-06-20
    专利申请权、专利权的转移
    状态信息
    专利权的转移;IPC(主分类):H01M4/505;登记生效日:20230608;变更事项:专利权人;变更前:欣旺达电子股份有限公司;变更后:欣旺达电动汽车电池有限公司;变更事项:地址;变更前:518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区颐和路2号综合楼1楼、2楼A.B区、2楼D区.9楼;变更后:518000 广东省深圳市光明新区公明街道塘家南十八号路欣旺达工业园A栋1.2楼
  • 2020-08-28
    授权
    状态信息
    授权
  • 2019-05-07
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01M4/505;申请日:20181206
  • 2019-04-12
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明提出了一种镍钴锰前驱体、镍钴锰三元材料的制备方法及锂离子电池,从高镍三元材料前驱体的制备开始着手,采用有机高分子聚合物颗粒作为造孔剂以及其在锂化烧结中碳化后的物质作为还原剂,制备了二次颗粒中存在内空隙,一次颗粒包含过渡金属离子梯度层的高镍三元正极材料。开发出一种全新的方法来制备出含过渡金属离子梯度层的多孔的高镍三元正极材料,该方案简单可行,易于大规模工业化;以含过渡金属离子梯度层的多孔的高镍三元材料作为正极材料的锂离子电池的克容量、循环稳定性和结构稳定性都有了显著的提升。