一种光芯片的出射模场测量装置及其测量方法

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专利状态

一种光芯片的出射模场测量装置及其测量方法

有效

专利申请进度

申请

2022-04-26

申请公布

2022-08-02

授权

2023-03-07

预估到期

2042-04-26

专利基础信息

申请号	CN202210455194.9	申请日	2022-04-26
申请公布号	CN114839730A	申请公布日	2022-08-02
授权公布号	CN114839730B	授权公告日	2023-03-07
分类号	G02B6/42;G02B6/125;G01B11/00
分类	光学;
申请人名称	珠海光库科技股份有限公司
申请人地址	广东省珠海市高新区唐家湾镇创新三路399号

专利法律状态

2023-03-07

授权

状态信息

授权
2022-08-02

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种光芯片的出射模场测量装置及其测量方法，包括待测光芯片、放大透镜组件和平面探测器，待测光芯片设置有至少两个光波导，至少两个光波导的出射端位于同一侧上并呈预设间距相间隔，至少两个光波导的出射光经过放大透镜组件的成像放大后入射至平面探测器。以芯片波导间距进行定标，根据等比例关系可计算得出出射端处的出射光斑的尺寸，既克服了计算透镜组放大倍率难的问题，也避免了选择其它定标物带来的麻烦，从而简易且精确地测量得出光芯片出射模场。

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