一种具有保偏功能和模场转换的光子芯片装置

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专利状态

一种具有保偏功能和模场转换的光子芯片装置

有效

专利申请进度

申请

2020-12-25

授权

2021-08-27

预估到期

2030-12-25

专利基础信息

申请号	CN202023164676.4	申请日	2020-12-25
授权公布号	CN214067430U	授权公告日	2021-08-27
分类号	G02B6/12
分类	光学;
申请人名称	珠海光库科技股份有限公司
申请人地址	广东省珠海市高新区唐家湾镇创新三路399号

专利法律状态

2021-08-27

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种具有保偏功能和模场转换的光子芯片装置，包括集成光子芯片和多根模场转换光纤，集成光子芯片设置有多个光接口，模场转换光纤包括光纤包层、光纤纤芯和两个应力棒，光纤包层包裹在光纤纤芯外，光纤纤芯包括依次连接布置保偏段、过渡段和匹配段，保偏段的第一纤芯直径大于匹配段的第二纤芯直径，过渡段的第三纤芯直径由第一纤芯直径连续渐变至第二纤芯直径，两个应力棒位于光纤包层内，两个应力棒以保偏段为中心对称地设置在保偏段的外周，一个匹配段与一个光接口熔接。通过设置两段不同直径的纤芯直径，利用呈连续渐变的过渡段可实现模场转换，通过保偏光纤模式转换解决的由保偏波导结构到单模波导结构的转换。

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