铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法

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专利状态

铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2020-12-09

申请公布

2021-03-23

授权

2023-02-21

预估到期

2040-12-09

专利基础信息

申请号	CN202011425317.1	申请日	2020-12-09
申请公布号	CN112540428A	申请公布日	2021-03-23
授权公布号	CN112540428B	授权公告日	2023-02-21
分类号	G02B6/13;G02F1/035;C23C14/48
分类	光学;
申请人名称	珠海光库科技股份有限公司
申请人地址	广东省珠海市高新区唐家湾镇创新三路399号

专利法律状态

2023-02-21

授权

状态信息

授权
2021-03-23

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法。制作方法包括在原料铌酸锂晶圆的光学级表面上制备光波导；在原料铌酸锂晶圆上具有光波导的一侧制备介质膜，介质膜填充在光波导之间的空隙内，光波导与介质膜形成光波导介质层；穿过光波导介质层朝向原料铌酸锂晶圆注入离子，在光波导介质层的下方形成离子层；将支撑晶圆与光波导介质层键合；加热至第一预设温度；加热至第二预设温度，使光波导介质层与原料铌酸锂晶圆分离并存留在支撑晶圆上，第二预设温度大于第一预设温度；对光波导介质层进行抛光处理。该制作方法制备出的光波导的侧壁垂直度很高且光洁度也很高。

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