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专利状态
高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置
有效
专利申请进度
申请
2012-12-13
申请公布
2013-03-27
授权
2015-01-14
预估到期
2032-12-13
专利基础信息
申请号 CN201210539154.9 申请日 2012-12-13
申请公布号 CN102994980A 申请公布日 2013-03-27
授权公布号 CN102994980B 授权公告日 2015-01-14
分类号 C23C16/448;C23C16/26;C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00
分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称 苏州汉纳材料科技有限公司
申请人地址 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区07栋102室
专利法律状态
  • 2016-02-10
    专利权人的姓名或者名称、地址的变更
    状态信息
    专利权人的姓名或者名称、地址的变更;IPC(主分类):C23C16/448;变更事项:专利权人;变更前:苏州汉纳材料科技有限公司;变更后:苏州汉纳材料科技有限公司;变更事项:地址;变更前:215125 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4-508;变更后:215125 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区07栋102室
  • 2015-01-14
    授权
    状态信息
    授权
  • 2013-04-24
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):C23C16/448;申请日:20121213
  • 2013-03-27
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明提供了一种高导电碳纳米管薄膜的制备方法及装置。本发明是利用浮动催化裂解法在高温下制备碳纳米管气溶胶,并将所述碳纳米管气溶胶导入封闭空腔内,以及,在与所述封闭空腔上开设的狭缝的对应位置设置基底,并以定向磁场诱导所述封闭空腔内的碳纳米管穿过所述狭缝,并定向沉积到基底上,形成高导电碳纳米管薄膜。本发明可以实现高性能碳纳米管薄膜的大面积、连续、低成本、高效的制备,并且在基材透光率约92%的情况下,所述高导电碳纳米管薄膜的透光率可高达88%,面阻可低至100Ω/□。