一种用于半导体芯片焊接的真空共晶炉

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专利状态

一种用于半导体芯片焊接的真空共晶炉

有效

专利申请进度

申请

2022-03-08

授权

2022-06-24

预估到期

2032-03-08

专利基础信息

申请号	CN202220509285.1	申请日	2022-03-08
授权公布号	CN216818286U	授权公告日	2022-06-24
分类号	H01L21/67;B23K1/008;B23K3/08;B23K101/40N
分类	基本电气元件;
申请人名称	快克智能装备股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路11号

专利法律状态

2022-06-24

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及半导体芯片焊接技术领域，尤其是一种用于半导体芯片焊接的真空共晶炉，包括：密封腔体单元、抽真空单元、助焊剂回收单元以及工艺进气单元，密封腔体单元具有密封腔，密封腔内具有载板组件、用于对载板组件辐射加热的加热组件及嵌入固定在载板组件内部的冷却组件，本实用新型用于半导体芯片焊接的真空共晶炉采用非接触式辐射加热及直接接触式液冷冷却，实现了高效加热及高效冷却；在抽真空单元对密封腔抽气时，助焊剂回收单元会对废气中的对含有雾状悬浮的助焊剂等氧化物进行冷凝回收，从而保证废气不会对抽真空单元产生影响，提高了设备的使用寿命；同时配备了工艺进气单元，以实现在焊接时根据需要提供相应的工艺气氛。

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