用于分析多晶半导体材料的晶体结构的方法

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专利状态

用于分析多晶半导体材料的晶体结构的方法

有效

专利申请进度

申请

2013-07-30

申请公布

2015-05-20

授权

2018-08-31

预估到期

2033-07-30

专利基础信息

申请号	CN201380043773.1	申请日	2013-07-30
申请公布号	CN104641224A	申请公布日	2015-05-20
授权公布号	CN104641224B	授权公告日	2018-08-31
分类号	G01N21/95
分类	测量；测试;
申请人名称	法国电力公司
申请人地址	法国巴黎

专利法律状态

2018-08-31

发明专利权授予

状态信息

授权
2015-06-17

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G01N 21/95；申请日:20130730
2015-05-20

国际专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本文描述了一种用于分析多晶半导体材料的晶体结构的方法。根据一个实施例，所述方法包括：对材料进行激励，以使材料发出发光信号；在材料的一预设空间区域中一网格的每个点处，在宽度大于或等于材料的带隙宽度的频带中，以一可变偏振角来检测发光信号；在材料的预设空间区域中所述网格的每个点处，从对网格的所述点检测的信号中，估算出随偏振角而变的、由正弦波之和建模的发光信号的差变的特征数据；并且表示出预设空间区域中网格的所有点上的特征数据。

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