一种DRAM内存时序配置方法和装置

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专利状态

一种DRAM内存时序配置方法和装置

有效

专利申请进度

申请

2020-08-26

申请公布

2020-12-18

授权

2022-05-13

预估到期

2040-08-26

专利基础信息

申请号	CN202010873494.X	申请日	2020-08-26
申请公布号	CN112099733A	申请公布日	2020-12-18
授权公布号	CN112099733B	授权公告日	2022-05-13
分类号	G06F3/06
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	瑞芯微电子股份有限公司
申请人地址	福建省福州市鼓楼区软件大道89号18号楼

专利法律状态

2022-05-13

授权

状态信息

授权
2020-12-18

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开一种DRAM内存时序配置方法和装置，其中方法包括如下步骤：在DRAM内存的预设位置写入第一数据；开启DRAM内存的TDQS功能；在DRAM内存的所述预设位置的部分位写入第二数据，第二数据的位数据与第一数据的位数据不同；关闭DRAM内存的TDQS功能；从DRAM内存的所述预设位置读出数据，判断读出数据是否等于第二数据；如果等于第二数据，则DRAM内存的识别结果为第一DRAM；如果不等于第二数据，则DRAM内存的识别结果为第二DRAM；根据识别结果以及预存的时序表获取对应的时序，所述时序表存储有第一DRAM对应的时序和第二DRAM对应的时序；配置所述对应的时序到DRAM内存。本发明可以识别不同线宽的内存颗粒，可以配置对应时序，提高内存效率。

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