一种高矫顽力含铈磁体及其制备方法

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专利状态

一种高矫顽力含铈磁体及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-11-22

申请公布

2020-02-28

授权

2021-07-13

预估到期

2039-11-22

专利基础信息

申请号	CN201911158098.2	申请日	2019-11-22
申请公布号	CN110853856A	申请公布日	2020-02-28
授权公布号	CN110853856B	授权公告日	2021-07-13
分类号	H01F1/057;H01F41/02;C22C38/00;C22C30/00;B22F5/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	安泰科技股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区学院南路76号

专利法律状态

2021-07-13

授权

状态信息

授权
2020-03-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效 IPC（主分类）:H01F1/057
2020-02-28

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种高矫顽力含铈磁体的制备方法，该方法包括：调配所述含Ce主合金的原材料；调配所述晶界优化辅合金的原材料；将所述含Ce主合金的原材料、所述晶界优化辅合金的原材料分别进行真空熔炼和速凝甩带处理，得到含Ce主合金速凝薄片和界优化辅合金速凝薄片；将所述含Ce主合金速凝薄片和所述晶界优化辅合金速凝薄片按1:x的重量比混合，之后进行氢破处理和气流磨处理，得到混合粉末，向所述混合粉末中加入润滑剂，进行混合，得到混合料；对所述混合料进行磁场取向压型，并冷等静压，得到生坯；将所述生坯进行烧结，随后进行回火热处理，得到含铈磁体。本发明有效简化了制备工序，而且可有效降低辅合金被氧化的风险。

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