一种高致密超细晶大尺寸钼靶材的制备方法

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专利状态

一种高致密超细晶大尺寸钼靶材的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-03-13

申请公布

2019-05-21

授权

2021-06-01

预估到期

2039-03-13

专利基础信息

申请号	CN201910187697.0	申请日	2019-03-13
申请公布号	CN109778126A	申请公布日	2019-05-21
授权公布号	CN109778126B	授权公告日	2021-06-01
分类号	C23C14/34;B22F5/00
分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称	安泰科技股份有限公司
申请人地址	天津市宝坻区节能环保工业区宝中道10号

专利法律状态

2021-12-21

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):C23C 14/34；专利号:ZL2019101876970；登记生效日:20211208；变更事项:专利权人；变更前权利人:安泰天龙(天津)钨钼科技有限公司；变更后权利人:安泰天龙钨钼科技有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:301800 天津市宝坻区节能环保工业区宝中道10号；变更后权利人:301800 天津市宝坻区节能环保工业区宝中道10号；变更事项:专利权人；变更前权利人:安泰科技股份有限公司；变更后权利人:安泰科技股份有限公司
2021-06-01

授权

状态信息

授权
2019-06-14

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C23C 14/34；专利申请号:2019101876970；申请日:20190313
2019-05-21

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种高致密超细晶大尺寸钼靶材的制备方法，通过冷等静压压型‑烧结‑热等静压压型‑热轧制‑退火‑机加工的工艺流程来制备钼靶材，钼靶材先通过热等静压处理后，对钼靶材坯料进行了第一次致密化处理，然后将该坯料进行热轧处理，对钼靶材坯料进行了第二次致密化处理，最后经过950‑1100℃，保温60‑90min的退火处理及机械加工等工序获得所需性能的钼靶材。本发明的制备方法能够制作出高纯度(纯度达到99.9％以上))、全致密(密度达到99.9％以上)、超细晶(晶粒度小于20μm)的钼靶材，可满足要求越来越高的溅射工艺，提高薄膜溅射速度，改善钼金属溅射薄膜的质量，提高薄膜性能。

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