一种用于SiC晶片减薄的陶瓷金刚石砂轮及其制造方法

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专利状态

一种用于SiC晶片减薄的陶瓷金刚石砂轮及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-10-16

申请公布

2022-02-01

授权

2023-06-20

预估到期

2040-10-16

专利基础信息

申请号	CN202011106772.5	申请日	2020-10-16
申请公布号	CN113997213A	申请公布日	2022-02-01
授权公布号	CN113997213B	授权公告日	2023-06-20
分类号	B24D3/18;B24D18/00;B24D7/06;B28B1/50;B28B11/24
分类	磨削；抛光;
申请人名称	安泰科技股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区学院南路76号

专利法律状态

2023-06-20

授权

状态信息

授权
2022-02-22

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):B24D3/18；申请日:20201016
2022-02-01

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提出一种用于SiC晶片减薄的陶瓷金刚石砂轮及其制造方法。陶瓷金刚石刀头由陶瓷结合剂、金刚石磨料、填料组成，其制造方法为凝胶注模‑发泡法，具体流程为将有机单体溶液与各原料通过球磨混合成均匀的浆料，再加入分散剂、引发剂和发泡剂，经过脱模、干燥、排胶、焙烧、表面处理得到高气孔率的陶瓷金刚石刀头。然后将刀头和铝基体进行粘接、固化、修整、检测，制备出多孔陶瓷结合剂金刚石砂轮。该方法较传统砂轮工艺简单、步骤少，其制得的砂轮组织均匀、气孔分布均匀、孔径均匀，气孔率高，因此该砂轮自锐性非常好，磨屑排出及时，砂轮锋利度好，且加工工件表面质量好、加工效率高且研磨过程中无需修整。

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