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专利状态

一种功率半导体器件

有效

专利申请进度

申请

2022-08-31

授权

2023-03-28

预估到期

2032-08-31

专利基础信息

申请号	CN202222314158.9	申请日	2022-08-31
授权公布号	CN218769501U	授权公告日	2023-03-28
分类号	H01L23/367;H01L23/16
分类	基本电气元件;
申请人名称	佛山市国星光电股份有限公司
申请人地址	广东省佛山市禅城区华宝南路18号

专利法律状态

2023-03-28

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种功率半导体器件，包括：基板，所述基板具有第一顶面；第一铜层，所述第一铜层连接于所述第一顶面上，所述第一铜层上设置有隔离通孔；两个芯片单元，两个所述芯片单元并排设置于所述第一铜层上，所述隔离通孔位于两个所述芯片单元之间。本申请的功率半导体，其在并排设置的芯片之间设置有隔离通孔，从间隔的角度降低了每个芯片的热耦合，从而降低了芯片的结温温度。

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