数据采集电路、读数据窗口的控制方法及装置

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专利状态

数据采集电路、读数据窗口的控制方法及装置

有效

专利申请进度

申请

2018-06-26

申请公布

2020-01-03

授权

2021-06-15

预估到期

2038-06-26

专利基础信息

申请号	CN201810669265.9	申请日	2018-06-26
申请公布号	CN110648703A	申请公布日	2020-01-03
授权公布号	CN110648703B	授权公告日	2021-06-15
分类号	G11C11/4091;G11C11/4076
分类	信息存储;
申请人名称	龙芯中科技术股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区中关村环保科技示范园龙芯产业园2号楼

专利法律状态

2021-06-15

授权

状态信息

授权
2021-02-05

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):G11C11/4091；变更事项:申请人；变更前:龙芯中科技术有限公司；变更后:龙芯中科技术股份有限公司；变更事项:地址；变更前:100095 北京市海淀区中关村环保科技示范园龙芯产业园2号楼；变更后:100095 北京市海淀区中关村环保科技示范园龙芯产业园2号楼
2020-02-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C11/4091；申请日:20180626
2020-01-03

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种数据采集电路、读数据窗口的控制方法、装置及内存控制器，通过在用于读数据的首个数据选通信号DQS的读前导区域内，确定初始门信号与首个DQS上升沿的相位关系，生成第一门延迟信号；在每个存储体对应的DQS的第一个下降沿，采集第一门延迟信号，得到每个存储体对应的第二门延迟信号的起始位置，生成每个存储体对应的第二门延迟信号；根据每个存储体对应的第二门延迟信号，或者根据第一门延迟信号和每个存储体对应的第二门延迟信号，确定每个存储体对应的读数据窗口。保证了内存控制器对DDRx SDRAM存储器读数据窗口的准确确定，保证了对DDRx存储器数据读取的可靠性。

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