硅通孔芯片的二次封装方法及其二次封装体

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专利状态

硅通孔芯片的二次封装方法及其二次封装体

有效

专利申请进度

申请

2017-07-27

申请公布

2018-11-09

授权

2023-07-14

预估到期

2037-07-27

专利基础信息

申请号	CN201780010390.2	申请日	2017-07-27
申请公布号	CN108780772A	申请公布日	2018-11-09
授权公布号	CN108780772B	授权公告日	2023-07-14
分类号	H01L21/683;H01L23/31
分类	基本电气元件;
申请人名称	深圳市汇顶科技股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层

专利法律状态

2023-07-14

授权

状态信息

授权
2018-12-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/683；申请日:20170727
2018-11-09

公布

状态信息

公布

摘要

一种硅通孔芯片的二次封装方法及硅通孔芯片的二次封装体。硅通孔芯片（1）具有相对的正向表面（11）与反向表面（12），反向表面（12）上设置有焊球阵列封装BGA锡球（2），硅通孔芯片（1）的二次封装方法包括：将至少一硅通孔芯片（1）放置在铺设有释放应力膜层（3）的底座（41）上；使用软化的塑封胶（5）包覆硅通孔芯片（1）；待塑封胶（5）固化后去除底座（41），以获取硅通孔芯片（1）的二次封装体；对二次封装体的表面进行处理，以露出BGA锡球（2）。在二次封装中无需使用基板作为载体，在保证硅通孔芯片（1）具有较高机械结构强度的基础上，降低了二次封装体的厚度，有利于电子产品的薄型化和小型化设计。

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