一种低寄生电容的TFT结构触控阵列基板

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专利状态

一种低寄生电容的TFT结构触控阵列基板

有效

专利申请进度

申请

2021-08-31

授权

2022-02-01

预估到期

2031-08-31

专利基础信息

申请号	CN202122080650.X	申请日	2021-08-31
授权公布号	CN215731720U	授权公告日	2022-02-01
分类号	H01L27/12;H01L21/77;G06F3/044
分类	基本电气元件;
申请人名称	华映科技（集团）股份有限公司
申请人地址	福建省福州市马尾区儒江西路6号

专利法律状态

2022-02-01

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开一种低寄生电容的TFT结构触控阵列基板，其包括基板以及依次设置于基板上的栅极层、栅极绝缘层、阻隔层、电极层、钝化层、第一平坦化层、第三电极层、VA层、第二平坦化层、绝缘层CH和像素电极,像素电极覆盖绝缘层CH的部分区域且位于部分电极层的上方，位于像素电极与电极层之间设置像素过孔，像素电极布置在像素过孔内并藉由像素过孔与对应的电极层区域接触连接；电极层部分透过阻隔层与栅极绝缘层接触连接；第三电极层设置在像素过孔一旁的第一平坦化层和VA层之间区域；绝缘层CH底面对应第三电极层区域设置共通电极COM，使得部分共通电极COM通过触控过孔与第三电极层CM接触连接。本实用新型的两层OC膜层结构使得寄生电容较低，满足主动笔规格需求。

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