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专利状态

工业硅杂质含量测定方法

有效

专利申请进度

申请

2017-09-29

申请公布

2018-01-30

授权

2020-04-07

预估到期

2037-09-29

专利基础信息

申请号	CN201710910602.4	申请日	2017-09-29
申请公布号	CN107643281A	申请公布日	2018-01-30
授权公布号	CN107643281B	授权公告日	2020-04-07
分类号	G01N21/73;G01N1/28
分类	测量；测试;
申请人名称	通标标准技术服务有限公司
申请人地址	北京市海淀区阜成路73号世纪裕惠大厦16层

专利法律状态

2020-04-07

授权

状态信息

授权
2018-02-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):G01N 21/73
2018-01-30

公布

状态信息

公开

摘要

本发明公开了一种工业硅杂质含量测定方法，包括：步骤一、采用振动磨机将工业硅样品研磨成30～70μm的工业硅粉体；步骤二、称取1g工业硅粉体，加入3～5mL氢氟酸；之后继续向聚四氟乙烯烧杯中加入8～10mL氢氟酸，同时向氢氟酸内通入氮气，氮气的流量为0.02～0.04mL/min，持续通入氮气5～7min；步骤三、将聚四氟乙烯烧杯置于加热板上，进行加热，之后向聚四氟乙烯烧杯加入2～3mL硝酸和4～5mL盐酸，待剧烈反应停止后，加入1～1.2mL高氯酸，加热共持续18～20min；步骤四、采用电感耦合等离子体发射光谱法对待测溶液进行检测。本发明检出限低，检测精度高，检测误差小。

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