一种芯片的制备方法及芯片

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专利状态

一种芯片的制备方法及芯片

有效

专利申请进度

申请

2019-08-16

申请公布

2019-11-12

授权

2022-03-18

预估到期

2039-08-16

专利基础信息

申请号	CN201910758669.X	申请日	2019-08-16
申请公布号	CN110444522A	申请公布日	2019-11-12
授权公布号	CN110444522B	授权公告日	2022-03-18
分类号	H01L23/482;H01L21/60;H01L21/607
分类	基本电气元件;
申请人名称	四川九洲电器集团有限责任公司
申请人地址	四川省绵阳市科创园区九华路6号

专利法律状态

2022-03-18

授权

状态信息

授权
2019-11-12

公布

状态信息

公布

摘要

本申请实施例中提供了一种芯片的制备方法及芯片。制备方法包括形成平顶共面金凸点的步骤；形成平顶共面金凸点的步骤具体包括：形成位于同一层的多个金凸点；将同一层的各个所述金凸点的顶端作为一个整体进行整体拍平，以拍平各个所述金凸点的顶端尾丝，形成同一层顶端为平顶且共面的平顶共面金凸点。芯片为所述制备方法制备出的芯片。本申请实施例解决了因芯片的多个金凸点的顶端不在同一平面导致芯片和载体基板键合后连接不实的技术问题。

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