封装体切割断线实现堆叠IC不良品降级的方法

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专利状态

封装体切割断线实现堆叠IC不良品降级的方法

有效

专利申请进度

申请

2015-04-21

申请公布

2016-11-23

授权

2020-05-15

预估到期

2035-04-21

专利基础信息

申请号	CN201510191778.X	申请日	2015-04-21
申请公布号	CN106158741A	申请公布日	2016-11-23
授权公布号	CN106158741B	授权公告日	2020-05-15
分类号	H01L21/78;H01L21/66
分类	基本电气元件;
申请人名称	特科芯有限公司
申请人地址	江苏省苏州市工业园区港田路99号港田工业坊4号厂房3楼

专利法律状态

2020-05-15

授权

状态信息

授权
2016-12-21

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/78申请日:20150421
2016-11-23

公布

状态信息

公开

摘要

本发明公开了封装体切割断线实现堆叠IC不良品降级的方法，包括封装外形图纸和内部焊线图纸，IC，die，金属线，刀片，划片机，IC具有多层结构，通过测试判定所测的IC内部多层结构中出现的问题层die；确定切割刀的下刀位置并且设定参数，为了切割精度控制要求，使用切割晶圆的划片机，将需要切割的IC放在划片机带有真空吸附的切割盘上；切割完的IC颗粒，可通过划片机里面的清洗吹干，清洗吹干后，测试剩余die，剩余die未出现问题的IC作为降级品使用；上述技术方案是通过物理损伤隔离法将报废IC降级使用，增加收益，减少浪费。

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