一种FDD系统GaN功率管的栅极偏置电路

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专利状态

一种FDD系统GaN功率管的栅极偏置电路

有效

专利申请进度

申请

2015-12-30

授权

2016-08-24

预估到期

2025-12-30

专利基础信息

申请号	CN201521128015.2	申请日	2015-12-30
授权公布号	CN205509987U	授权公告日	2016-08-24
分类号	H03F1/52;H03F3/20
分类	基本电子电路;
申请人名称	三维通信股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市滨江区火炬大道581号三维大厦（高新区）

专利法律状态

2016-08-24

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种FDD系统GaN功率管的栅极偏置电路，其包括：包括：运算放大器U1、场效应晶体管U2、场效应晶体管U3、漏极PMOS场效应晶体管U4、48V转+5V电源芯片U5,一个+5V转?5V电源芯片U6、电位器R1以及电阻R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9。其中，U1、U5、U6和R1、R2、R3、R4构成栅极供电电路；U2、U3、U4、U6和R5、R6、R7、R8、R9构成漏极延时电路。本实用新型可实现给GaN功率管栅极提供负压偏置，并保证栅压先上电2毫秒后漏压才能接通，保护GaN功率管不会因为栅压过高而烧毁。

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