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专利状态
一种GaN功率管数字栅极偏置电路
有效
专利申请进度
申请
2015-12-30
授权
2016-06-08
预估到期
2025-12-30
专利基础信息
申请号
CN201521129048.9
申请日
2015-12-30
授权公布号
CN205304744U
授权公告日
2016-06-08
分类号
H03F1/52;H03F3/189;H03F3/20
分类
基本电子电路;
申请人名称
三维通信股份有限公司
申请人地址
浙江省杭州市滨江区火炬大道581号三维大厦(高新区)
专利法律状态
2016-06-08
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型公开了一种GaN功率管数字栅极偏置电路,包括电源芯片U1,DAC芯片U2,三个场效应晶体管U3、U4、U7,漏极MOS管U5,运算放大器U6,单刀双掷开关U8以及电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12;电源芯片U1、场效应晶体管U3、场效应晶体管U4、漏极MOS管U5和电阻R1、R2、R3、R4、R5构成漏极延时电路。本实用新型的有益效果是:可实现给GaN功率管栅极提供负压偏置,并保证栅压先上电2毫秒后漏压才能接通,保护GaN功率管不会因为栅压过高而烧毁,同时能够实现功率管的开关。
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