一种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置

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专利状态

一种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置

有效

专利申请进度

申请

2013-06-06

申请公布

2013-09-18

授权

2016-12-28

预估到期

2033-06-06

专利基础信息

申请号	CN201310225116.0	申请日	2013-06-06
申请公布号	CN103312273A	申请公布日	2013-09-18
授权公布号	CN103312273B	授权公告日	2016-12-28
分类号	H03F1/30;H03F3/20
分类	基本电子电路;
申请人名称	三维通信股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市滨江区火炬大道581号三维大厦（高新区）

专利法律状态

2016-12-28

授权

状态信息

授权
2013-10-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H03F 1/30申请日:20130606
2013-09-18

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，电源模块通过限流电阻R0和三极管T1、T2，与分压电阻R和NTC电阻R3相连，再一起与LDMOS功率放大器的管脚1连通，LDMOS功率放大器的管脚2接地，管脚3为射频输出端，电源模块与微控制器MCU连通。本发明有益的效果是：本发明结构通过结合三极管的温度特性和NTC热敏电阻，对LDMOS管子的温度效应实现较好的抑制作用，针对现有LDMOS管的特性，提供一种具有温度补偿机制的，可使大功率射频LDMOS放大器在不同温度下维持其静态工作电流的稳定，达到恒定功率输出的目的。

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