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专利状态
一种高阻值高B值的NTC热敏电阻材料及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2022-01-07
申请公布
2022-05-10
授权
2022-11-01
预估到期
2042-01-07
专利基础信息
申请号
CN202210020023.3
申请日
2022-01-07
申请公布号
CN114455939A
申请公布日
2022-05-10
授权公布号
CN114455939B
授权公告日
2022-11-01
分类号
C04B35/01;C04B35/622;H01C7/04;H01C17/00
分类
水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕;
申请人名称
广东风华高新科技股份有限公司
申请人地址
广东省肇庆市风华路18号风华电子工业城
专利法律状态
2022-11-01
授权
状态信息
授权
2022-05-10
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种高阻值高B值的NTC热敏电阻材料及其制备方法。本发明所述高阻值高B值的NTC热敏电阻材料的配方中以Mn、Co、Fe金属氧化物为体系,尖晶石晶相结构,结合p型半导体、两性半导体和价控半导体的晶体结构和电学优势,以晶相组成进行片式NTC高阻材料的晶体结构模拟、粉末合成制备试验论证,通过添加微量的Al2O3、SiO2、ZnO等原料,促使晶粒细化,来提升材料电阻率ρ至30000Ω·cm、B值:4150K;再通过添加微量高焓值氧化物如Nb2O5等材料,改善瓷体结构,增强瓷体的致密性,来改善产品的老化特性,提升NTC高阻产品的可靠性。
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