一种非磁性铁氧体、叠层电子器件及其制备方法

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专利状态

一种非磁性铁氧体、叠层电子器件及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2016-07-13

申请公布

2016-12-21

授权

2019-01-18

预估到期

2036-07-13

专利基础信息

申请号	CN201610552702.X	申请日	2016-07-13
申请公布号	CN106242545A	申请公布日	2016-12-21
授权公布号	CN106242545B	授权公告日	2019-01-18
分类号	H01F1/34;H01F27/24;H01F41/02;C04B35/26
分类	基本电气元件;
申请人名称	深圳顺络电子股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市宝安区观光路观澜大富苑顺络工业园

专利法律状态

2019-01-18

授权

状态信息

授权
2017-01-18

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/26申请日:20160713
2016-12-21

公布

状态信息

公开

摘要

本发明公开了一种非磁性铁氧体、叠层电子器件及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1，采用分析纯的Fe2O3、ZnO、CuO为主成分原材料，按分子式ZnaCu1‑aFebO4，其中0.7≤a≤0.8，1.7≤b≤1.9的配比计算各主成分原材料的重量，将主成分原材料混合后研磨至粒度在0.5～1μm之间；S2，将混合粉料在800～850℃下进行预烧；S3，在预烧粉料的基础上，掺入辅助成分XO2、Al2O3和R2O5；混合后研磨至粒径在0.5μm以内；S4，按所述粉体重量计算，添加重量百分比为10～15wt％的粘结剂进行造粒；S5，将所述铁氧体造粒粉压制成为铁氧体生坯；S6，烧结，得到非磁性铁氧体。本发明制得的非磁性铁氧体可在低温下烧结，具有高绝缘性，并可实现与Ag以及磁性铁氧体材料的共烧。

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