一种生长大尺寸高质量BBO晶体的特殊工艺方法

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专利状态

一种生长大尺寸高质量BBO晶体的特殊工艺方法

有效

专利申请进度

申请

2008-12-15

申请公布

2010-06-23

授权

2012-12-26

预估到期

2028-12-15

专利基础信息

申请号	CN200810072363.0	申请日	2008-12-15
申请公布号	CN101748476A	申请公布日	2010-06-23
授权公布号	CN101748476B	授权公告日	2012-12-26
分类号	C30B11/00;C30B29/22
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	福建福晶科技股份有限公司
申请人地址	福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号华晶楼

专利法律状态

2012-12-26

授权

状态信息

授权
2011-03-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20081215
2010-06-23

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种生长低温相偏硼酸钡(β-BaB2O4，简称BBO晶体)晶体的特殊工艺技术，尤其是能够生长大尺寸高质量BBO单晶的技术。为了减少或消除BBO晶体在生产过程中，在内部尤其是中心区域产生大量包裹物，本发明方面采用了锥形坩埚进行BBO晶体生长，如图1所示，在晶体下方对流加强，明显减少了下方的对流盲区，对流改善了，溶质的输运加快了，缺陷也随之减少了。另一方面，本发明用NaF、NaCl作为添加剂，由于F-或Cl-可以有效地破坏溶液中的网络结构，使得溶液的粘滞度得到很大的降低，提高了BBO晶体生长速度，并改善了晶体质量。

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