一种原生多段式钒酸钇激光晶体的制备方法

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专利状态

一种原生多段式钒酸钇激光晶体的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2009-05-05

申请公布

2010-11-10

授权

2012-03-28

预估到期

2029-05-05

专利基础信息

申请号	CN200910111635.8	申请日	2009-05-05
申请公布号	CN101880908A	申请公布日	2010-11-10
授权公布号	CN101880908B	授权公告日	2012-03-28
分类号	C30B15/00;C30B29/30
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	福建福晶科技股份有限公司
申请人地址	福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号华晶楼

专利法律状态

2012-03-28

授权

状态信息

授权
2011-03-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/00申请日:20090505
2010-11-10

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及的是一种原生多段式钒酸钇激光晶体的制备方法，它是利用助熔剂法，在掺稀土钒酸钇激光晶体的两端生长出一定厚度的不掺杂的钒酸钇晶体，从而制备出多段式钒酸钇激光晶体。这种方法制备出的纯的和掺钕晶体的界面吸收小于2150ppm/cm，可以满足高功率激光器的应用需求。

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