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专利状态
一种抑制BBO晶体径向过快生长的方法
有效
专利申请进度
申请
2012-12-06
申请公布
2013-03-13
授权
2016-03-09
预估到期
2032-12-06
专利基础信息
申请号
CN201210516864.X
申请日
2012-12-06
申请公布号
CN102965723A
申请公布日
2013-03-13
授权公布号
CN102965723B
授权公告日
2016-03-09
分类号
C30B9/12;C30B15/00;C30B29/22
分类
晶体生长〔3〕;
申请人名称
福建福晶科技股份有限公司
申请人地址
福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区9号楼福晶科技园
专利法律状态
2016-03-09
授权
状态信息
授权
2014-07-30
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效IPC(主分类):C30B 9/12申请日:20121206
2013-03-13
公布
状态信息
公布
摘要
一种抑制BBO晶体径向过快生长的方法,本发明的核心内容是采用碳酸钡和硼酸为主要原料,氟化钠或氧化钠为助熔剂,自制熔盐提拉炉为生长装置,采用特殊设计的嵌套坩锅,是坩埚内熔体产生不同的温度分布,提高边缘熔体温度从而抑制BBO晶体径向的生长速度,实现BBO晶体等径提拉生长,采用本发明进行BBO晶体的熔盐提拉生长,解决了以往生长方法中存在的晶体径向过快生长容易碰到坩锅壁扭断的问题,该方法具有结构简单,方便实用的特点。
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