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专利状态

MEMS芯片及MEMS传感器

有效

专利申请进度

申请

2020-08-04

授权

2020-09-25

预估到期

2030-08-04

专利基础信息

申请号	CN202021593918.9	申请日	2020-08-04
授权公布号	CN211570110U	授权公告日	2020-09-25
分类号	B81B7/02;H04R19/04
分类	微观结构技术〔7〕;
申请人名称	共达电声股份有限公司
申请人地址	山东省潍坊市坊子区凤山路68号

专利法律状态

2020-09-25

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种MEMS芯片和MEMS传感器。芯片包括基底、安装于基底上的膜片和背板，所述背板与所述膜片间隔相对并共同形成电容结构，所述背板包括第一区域及围绕在第一区域外围的第二区域，所述第一区域开设第一通孔，所述第二区域开设第二通孔，所述第一区域的第一通孔的开孔率小于所述第二区域的第二通孔的开孔率。本实用新型的MEMS芯片，透过缩小背板中央区域的开孔率来增加膜片与背板间的空气阻尼，借此降低每单位压力的位移量以扩大收音范围，并透过缩小背板中央区域的通孔的直径或增加通孔间的距离皆可以使形成于膜片与背板之间的电容的感测面积增加，进而使组件在相同的感测位移量中可得到更佳的电容讯号输出。

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