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专利状态

MEMS芯片和MEMS传感器

有效

专利申请进度

申请

2020-08-04

授权

2020-09-25

预估到期

2030-08-04

专利基础信息

申请号	CN202021593913.6	申请日	2020-08-04
授权公布号	CN211570111U	授权公告日	2020-09-25
分类号	B81B7/04;H04R19/04
分类	微观结构技术〔7〕;
申请人名称	共达电声股份有限公司
申请人地址	山东省潍坊市坊子区凤山路68号

专利法律状态

2020-09-25

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种MEMS芯片和MEMS传感器。芯片包括基底、安装于基底上的振膜和背板，基底设背腔，振膜包括固定至基底的外围部、可相对所述外围部运动的感测部，感测部与背腔相对，背腔的边界位于感测部的边界以内，感测部靠近其边界处设若干第二通孔，通过缩小背腔尺寸，缩小的尺寸差值即为加工裕度之范围，可依机台特性及需求来决定缩小范围。振膜感测部边界内设置一圈至数圈的第二通孔，可以为蚀刻液体或气体提供更多的蚀刻路径，补偿工艺偏移时牺牲层无法释放的区域，避免感测部上牺牲层残留问题。第二通孔结构，可视机台状况由一圈增加到数圈，其内外边界的差值，直接对应制程裕度，确保背腔不会超出振膜感测部的边界位置，避免低频讯号流失。

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