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专利状态
封装结构及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2016-12-29
申请公布
2017-06-13
授权
2019-08-09
预估到期
2036-12-29
专利基础信息
申请号
CN201611249829.0
申请日
2016-12-29
申请公布号
CN106847714A
申请公布日
2017-06-13
授权公布号
CN106847714B
授权公告日
2019-08-09
分类号
H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/60
分类
基本电气元件;
申请人名称
潮州三环(集团)股份有限公司
申请人地址
广东省潮州市凤塘三环工业城内综合楼
专利法律状态
2019-08-09
授权
状态信息
授权
2017-07-07
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/56;申请日:20161229
2017-06-13
公布
状态信息
公布
摘要
本发明涉及一种封装结构及其制备方法。一种封装结构,包括:第一封装元件,包括:陶瓷基座,所述陶瓷基座具有连接面,所述陶瓷基座形成有自所述连接面凹陷的收容槽;连接层,印刷于所述连接面,连接层的材料选自钨、钼及锰中的至少一种;镍层,层叠于所述连接层;及金层,层叠于所述镍层;第二封装元件,能够盖设于所述陶瓷基座上且封闭所述收容槽,所述第二封装元件由可伐合金制成。上述封装结构能降低封焊开裂率。
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