晶片电阻的内电极缺陷检测结构

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专利状态

晶片电阻的内电极缺陷检测结构

有效

专利申请进度

申请

2022-06-23

授权

2022-10-28

预估到期

2032-06-23

专利基础信息

申请号	CN202221595464.8	申请日	2022-06-23
授权公布号	CN217664803U	授权公告日	2022-10-28
分类号	B07C5/344;B07C5/02;B07C5/34
分类	将固体从固体中分离；分选;
申请人名称	国巨电子（中国）有限公司
申请人地址	江苏省苏州市新区竹园路10号

专利法律状态

2022-10-28

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种晶片电阻的内电极缺陷检测结构，其包括容置槽和设置在容置槽内的导电结构，容置槽设置在晶片电阻外侧的保护层上，容置槽依次贯穿晶片电阻的若干个保护层至电阻层，两个内电极均暴露于所述容置槽内，导电结构分别与两个内电极连接。本实用新型通过在内电极有缺陷的晶片电阻上设置容置槽，并在容置槽内填充导电材料使两个内电极之间导通，进而改变有缺陷晶片电阻的外观和阻值，便于后期可通过外观检测或者阻值测量来筛选出内电极有缺陷晶片电阻；避免了人工浪费以及人工剔除带来的漏剔除风险，提高产品质量，同时还避免了一整片或一整条剔除方式带来的良率损失和资源浪费，节省生产成本。

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