一种基于错误模式的闪存寿命测试方法

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专利状态

一种基于错误模式的闪存寿命测试方法

有效

专利申请进度

申请

2018-05-23

申请公布

2018-11-20

授权

2022-04-08

预估到期

2038-05-23

专利基础信息

申请号	CN201810501831.5	申请日	2018-05-23
申请公布号	CN108847267A	申请公布日	2018-11-20
授权公布号	CN108847267B	授权公告日	2022-04-08
分类号	G11C16/34
分类	信息存储;
申请人名称	置富科技（深圳）股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市龙岗区坂田街道吉华路龙璧工业城13#2层

专利法律状态

2022-04-08

授权

状态信息

授权
2021-08-06

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):G11C 16/34；专利申请号:2018105018315；登记生效日:20210723；变更事项:申请人；变更前权利人:武汉忆数存储技术有限公司；变更后权利人:置富科技(深圳)股份有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山一路1号华中曙光软件园蓝域·商界2号楼3层304-5；变更后权利人:518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道吉华路龙璧工业城13#2层；变更事项:申请人；变更前权利人:华中科技大学；变更后权利人:
2018-12-14

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C 16/34；专利申请号:2018105018315；申请日:20180523
2018-11-20

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种基于错误模式的闪存寿命测试方法，包括以下步骤：抽取样本闪存，将样本闪存芯片与闪存测试系统连接；向所述闪存中写入加速磨损的测试图形或激发错误的测试图形；读取样本闪存中的数据，记录原始错误比特率，将所述原始错误比特率与样本闪存的ECC纠错能力进行对比；当原始错误比特率小于ECC纠错能力时，则对样本闪存芯片重复进行读写操作，否则，证明样本闪存已坏，样本闪存的寿命为擦写操作执行次数。本发明结合氧化层退化以及现有闪存芯片工艺制造特点，采用特定的基于错误模式的高效闪存测试图形，加速闪存芯片磨损、激发闪存芯片内部单元固有的缺陷，从而实现快速的闪存检测。

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