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专利状态
一种IGBT均压电路及变频器
有效
专利申请进度
申请
2020-12-11
申请公布
2021-04-09
授权
2022-04-22
预估到期
2040-12-11
专利基础信息
申请号 CN202011461301.6 申请日 2020-12-11
申请公布号 CN112636567A 申请公布日 2021-04-09
授权公布号 CN112636567B 授权公告日 2022-04-22
分类号 H02M1/08;H02M1/32
分类 发电、变电或配电;
申请人名称 深圳市英威腾电气股份有限公司
申请人地址 广东省深圳市南山区桃源街道长源社区学苑大道1001号南山智园A7栋501
专利法律状态
  • 2022-04-22
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-04-09
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明实施例公开了一种IGBT均压电路及变频器,涉及变频器均压技术领域。IGBT均压电路包括IGBT、栅极箝位单元、电阻串联组件、第一电流灌入单元以及第二电流灌入单元,电阻串联组件包括第一电阻以及第二电阻;栅极箝位单元分别与IGBT的栅极、第一电阻以及第二电阻连接;第一电阻与第二电阻串联在IGBT的集电极与IGBT的发射极之间;第一电流灌入单元与第一电阻并联,第二电流灌入单元与第二电阻并联;第一电流灌入单元与第二电流灌入单元均设有箝位电压;第一电流灌入单元与第二电流灌入单元均用于在电压高于自身的箝位电压时向IGBT的栅极灌入电流。通过向IGBT的栅极灌入电流能够强化栅极对IGBT的有源控制效果,从而提升均压效果。