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专利状态
一种固态硬盘降低读响应延迟的方法及固态硬盘
有效
专利申请进度
申请
2017-05-19
申请公布
2017-10-24
授权
2020-04-28
预估到期
2037-05-19
专利基础信息
申请号
CN201710357269.9
申请日
2017-05-19
申请公布号
CN107291382A
申请公布日
2017-10-24
授权公布号
CN107291382B
授权公告日
2020-04-28
分类号
G06F3/06
分类
计算;推算;计数;
申请人名称
记忆科技(深圳)有限公司
申请人地址
广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D22/F、D13/F、D23/F、D14/F、D24/F、D15/F
专利法律状态
2020-04-28
授权
状态信息
授权
2017-11-24
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G06F3/06;申请日:20170519
2017-10-24
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种固态硬盘降低读响应延迟的方法及固态硬盘,其特征在于当采用第一级错误纠错还无法正确读数据时,将无法正确读数据所在的页或块的影响因子输入纠错策略预测模块和纠错电压预测模块,纠错策略预测模块和纠错电压预测模块根据输入的影响因子预测读数据的推荐纠错策略和推荐纠错电压,NAND根据推荐纠错策略和推荐纠错电压重新读取数据。本发明通过纠错策略预测模块和纠错电压预测模块预测推荐纠错策略和推荐纠错电压,固态硬盘根据预测的推荐纠错策略和推荐纠错电压进行数据读取,可大大提高一次读取成功的概率,进而实现降低读响应延迟,达到提升固态硬盘性能的效果。
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