一种挠性基材及其制备方法

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专利状态

一种挠性基材及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2012-09-24

申请公布

2013-01-02

授权

2015-06-10

预估到期

2032-09-24

专利基础信息

申请号	CN201210358007.1	申请日	2012-09-24
申请公布号	CN102858084A	申请公布日	2013-01-02
授权公布号	CN102858084B	授权公告日	2015-06-10
分类号	H05K1/03;H05K3/00
分类	其他类目不包含的电技术;
申请人名称	云南云天化股份有限公司
申请人地址	重庆市长寿区经济技术开发区齐心大道22号

专利法律状态

2016-11-09

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):H05K1/03；登记生效日:20161021；变更事项:专利权人；变更前权利人:云南云天化股份有限公司；变更后权利人:重庆云天化瀚恩新材料开发有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:657800 云南省昭通市水富县向家坝镇；变更后权利人:401220 重庆市长寿区经济技术开发区齐心大道22号；变更事项:专利权人；变更后权利人:云南云天化股份有限公司
2015-06-10

发明专利权授予

状态信息

授权
2013-02-20

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H05K1/03；申请日:20120924
2013-01-02

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种挠性基材及其制备方法。与现有技术溅射（或化学镀）/电镀法制备无胶挠性基材相比，本发明在含表面层的绝缘基材上利用原位化学还原/电镀的方法制备挠性基材，并且表面层包含具有微孔结构的纳米颗粒。首先中间层通过原位化学还原，部分金属粒子渗入纳米颗粒的微孔中，使中间层与绝缘基材之间形成物理锚合，提高了剥离强度，并且经过高温处理后，其剥离强度亦不会降低；其次颗粒为纳米级，中间层渗入绝缘基材较浅，界面较平整，蚀刻性能较好，有利于细线路的制造；再次，原位化学还原法可以通过调节氧化液和还原液的浓度和喷淋时间控制中间层的厚度，进而可以制备任意厚度的无胶挠性基材，且不需要特殊的设备，制备过程简单。

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