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专利状态
一种含有图形化DBR结构的衬底
失效
专利申请进度
申请
2011-03-11
申请公布
2012-09-19
授权
2015-02-18
预估到期
2031-03-11
专利基础信息
申请号 CN201110058547.3 申请日 2011-03-11
申请公布号 CN102683532A 申请公布日 2012-09-19
授权公布号 CN102683532B 授权公告日 2015-02-18
分类号 H01L33/22;H01L33/10;H01L33/00
分类 基本电气元件;
申请人名称 江苏欣达通信科技股份有限公司
申请人地址 江苏省苏州市吴江区七都镇创立路
专利法律状态
  • 2024-03-22
    专利权的终止
    状态信息
    未缴年费专利权终止;IPC(主分类):H01L33/22;申请日:20110311;授权公告日:20150218
  • 2020-10-13
    专利申请权、专利权的转移
    状态信息
    专利权的转移;IPC(主分类):H01L33/22;登记生效日:20200921;变更事项:专利权人;变更前:山东浪潮华光光电子股份有限公司;变更后:江苏欣达通信科技股份有限公司;变更事项:地址;变更前:261061 山东省潍坊市高新区金马路9号;变更后:215200 江苏省苏州市吴江区七都镇创立路
  • 2015-12-02
    专利申请权、专利权的转移
    状态信息
    专利权的转移;IPC(主分类):H01L33/22;登记生效日:20151111;变更事项:专利权人;变更前:山东华光光电子有限公司;变更后:山东浪潮华光光电子股份有限公司;变更事项:地址;变更前:250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号;变更后:261061 山东省潍坊市高新区金马路9号
  • 2015-02-18
    授权
    状态信息
    授权
  • 2012-11-14
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L33/22;申请日:20110311
  • 2012-09-19
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明涉及一种图形化DBR结构的衬底,是在衬底平面上制出周期性的DBR图形,所述DBR图形的周期为6-20μm,在DBR图形中交替蒸镀高低折射率的介质膜。在该结构的衬底上生长外延薄膜晶体质量高、缺陷少,芯片器件出光效率高,适合大功率高亮度LED器件制备应用。