一种减少EEPROM的数据读写出错的方法

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专利状态

一种减少EEPROM的数据读写出错的方法

有效

专利申请进度

申请

2012-10-10

申请公布

2013-01-23

授权

2016-04-27

预估到期

2032-10-10

专利基础信息

申请号	CN201210381516.6	申请日	2012-10-10
申请公布号	CN102890657A	申请公布日	2013-01-23
授权公布号	CN102890657B	授权公告日	2016-04-27
分类号	G06F3/06
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	深圳市航盛电子股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市宝安区福永街道和平居委福园一路航盛工业园

专利法律状态

2016-04-27

授权

状态信息

授权
2013-03-06

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):G06F 12/08申请日:20121010
2013-01-23

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供一种减少EEPROM的数据读写出错的方法，包括以下步骤：数组定义步骤，在SRAM定义一个缓冲数组，在EEPROM中定义数据区数组和备份区数组，所述数据区数组和备份区数组中均包括CRC校验数据；向EEPROM中写数据的数据写入步骤；校验数据计算步骤，将计算出的CRC检验数据写到数据区数组和备份区数组的校验数据区域；数据校验步骤，通过CRC校验数据对数据区数组和备份区数组的有效性进行校验；数据修复步骤；以及，默认重写步骤。本发明能够有效地减少EEPROM在读写掉电、强干扰和强静电等异常情况的数据读写出错几率，而且不需要占用较多的EEPROM空间，软件开销小、程序稳定可靠。

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