一种高千伏X射线点扫描成像系统用背散射探测器

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专利状态

一种高千伏X射线点扫描成像系统用背散射探测器

有效

专利申请进度

申请

2005-07-15

申请公布

2006-01-04

授权

2010-01-06

预估到期

2025-07-15

专利基础信息

申请号	CN200510084364.3	申请日	2005-07-15
申请公布号	CN1715895A	申请公布日	2006-01-04
授权公布号	CN100578204C	授权公告日	2010-01-06
分类号	G01N23/203;G01T1/00
分类	测量；测试;
申请人名称	北京中盾安民分析技术有限公司
申请人地址	北京市昌平科技园区火炬街2号

专利法律状态

2010-01-06

授权

状态信息

授权
2007-08-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2006-01-04

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种适用于高千伏(300KeV～10MeV)X射线点扫描成像系统所使用的背散射探测器。本发明采用平截四棱锥体结构，由锥体底面、锥体顶面及其余四个锥面构成一密封壳体。所述锥体底面为X射线的入射窗，其外层为铝塑板(5)，内层为氟氯化钡屏(4)，所述锥体顶面及其余四个锥面的内表面上粘贴着透明的碘化铯闪烁晶体片(3)，在四个锥面和锥体顶面上分别固定安装有光电倍增管(2)。本发明利用锥体底面的氟氯化钡层(4)吸收掉低能量的X射线，利用锥体顶面及其余四个锥面的透明的碘化铯晶体片(3)充分吸收高能X射线，这种采用两种闪烁材料分层吸收X射线的复合式结构，大大的减少了余辉，提高了X射线吸收效率，提高了光的转换效率。

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