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专利状态
一种高效SiC MOSFET管-IGBT管并联的电路复合器件
有效
专利申请进度
申请
2016-01-29
授权
2016-08-31
预估到期
2026-01-29
专利基础信息
申请号 CN201620097849.X 申请日 2016-01-29
授权公布号 CN205544896U 授权公告日 2016-08-31
分类号 H02M1/00
分类 发电、变电或配电;
申请人名称 深圳科士达科技股份有限公司
申请人地址 广东省深圳市南山区高新科技中二路软件园1栋4楼
专利法律状态
  • 2016-08-31
    授权
    状态信息
    授权
摘要
本实用新型属于电子器件领域,尤其涉及一种高效SiC?MOSFET管?IGBT管并联的电路复合器件,所述高效SiC?MOSFET管?IGBT管并联的电路复合器件包括SiC?MOSFET管和IGBT管,所述SiC?MOSFET管?IGBT管和所述IGBT管并联;本实用新型提供的高效SiC?MOSFET管?IGBT管并联的电路复合器件巧妙利用了SiC?MOSFET管与IGBT管两种不同器件的优点,避开了他们的缺点,可以明显降低器件损耗,提高变换器的效率,为节能节排做贡献。此外,本电路复合器件适用范围广泛,可以使用于现在IGBT或者SiC?MOSFET器件成熟使用的场合,比如buck、boost、有源PFC、逆变器、DCDC变换器等电路。